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實驗室通風柜廢氣處理有光催化氧化的辦法
光催化氧化工藝
光催化氧化工藝簡介
光化學和光催化氧化法是目前研究較多的一種氧化技術(shù)。光催化反應即在光的作用下進行的化學反應。分子吸收***定波長的電磁輻射后,是分子達到激發(fā)態(tài),然后發(fā)生化學反應,產(chǎn)生新的物質(zhì),或成為熱反應的引發(fā)劑。
光催化氧化工藝原理及流程
Ti02作為一種半導體資料其本身的光電***性決議了它可以用作光催化劑。半導體的能帶結(jié)構(gòu)通常是一個電子填充低能量價帶(VB)和一個空的高能量的導帶(CB),導帶和價帶之間的區(qū)域被稱為禁帶。
當照耀半導體的光能量等于或***于禁帶寬度時,其價帶電子被激起,跨過禁帶進入導帶,并在價帶中產(chǎn)生相應空穴。電子從價帶激起到導帶,激起后別離的電子和空穴都有一部分進一步進行反響。
光催化氧化工藝的影響要素
研討標明,反響物初始濃度對光催化功率或降解速率有顯著的影響。光催化功率跟著初始濃度添加而動搖,存在顯著的濃度改變點;低濃度方針物的光催化降解功率***于高濃度方針物的光催化降解功率。
濕度對光催化反響的影響尚無一致性定論。關(guān)于不同化合物或許不同濃度等實驗條件,存在很***的不同。
光催化氧化工藝***缺點
***點:
處理功率高,運轉(zhuǎn)費用低,適用于低濃度廣規(guī)模的 VOCs***別對芳烴的去除功率高;
缺點:
對高濃度 VOCs 處理功率一般;***要還停留在實驗室階段,缺少實踐使用。